BSI
WRITE循环2
(1,6)
BS616LV2019
t
WC
地址
CE2
(5,12)
(11)
CE
(5)
t
t
CW
BW
LB , UB
(5)
t
WE
AW
t
WP
t
WR
(3)
(2)
t
AS
(4,10)
t
WHZ
D
OUT
t
t
DW
t
OW
(7)
(8)
DH
(8,9)
D
IN
注意事项:
1.我们必须在地址转换高。
2.存储器的内部写入时间由CE2的重叠,CE和WE低限定。所有信号
必须主动发起写的任何一个信号可以通过将非活动结束写入。
的数据输入的设置和保持时间应参考的第二过渡边缘
因此终止了写入的信号。
3. T
WR
从CE2的早期变低,或CE或WE变高,在写周期结束时进行测量。
4.在这期间, DQ引脚处于输出状态,使反相器的输入信号
到输出必须不被应用。
5.如果CE2高的跳变或CE低转型同时发生的WE负跳变或WE之后
过渡,输出保持在高阻抗状态。
6. OE连续低( OE = V
IL
).
7. D
OUT
是这个写周期写入数据的相位相同。
8. D
OUT
是下一个地址的读数据。
9.如果CE2高或CE为低电平,在此期间, DQ引脚的输出状态。的,则数据输入信号
相位相反的输出不能被应用于它们。
10.参数是保证,但不是100 %测试。
11. T
CW
是从CE2变高或CE变低到写入结束时以后测量。
12. 48B BGA忽略相关CE2这个参数。
R0201-BS616LV2019
7
修订版1.2
五月
2004