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BS616LV2015TI 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV2015TI图片预览
型号: BS616LV2015TI
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 234 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
AC电气特性
( TA = 0〜 + 70
o
C, VCC = 5.0V )
写周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
日期字节控制来写结束
写在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
BS616LV2015
BS616LV2015-70
分钟。典型值。马克斯。
BS616LV2015-55
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
E1LWH
t
AVWL
t
AVWH
t
WLWH
t
WHAX
t
BW
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHOX
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR1
t
BW
(1)
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
70
70
0
70
35
( CE , WE)
( LB , UB )
0
30
0
30
0
0
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
55
55
0
55
30
0
25
0
25
0
0
5
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
注意:
1. t
BW
是为30ns / 25ns的( @ =速度为70ns / 55ns )与地址切换。 ;吨
BW
是为70ns / 55ns ( @ =速度为70ns / 55ns )没有地址切换。
开关波形(写周期)
写CYCLE1
(1)
t
WC
地址
t
WR
OE
(3)
t
CW
CE
(5)
(11)
t
BW
LB , UB
t
AW
WE
(3)
t
AS
(4,10)
t
WP
(2)
t
OHZ
D
OUT
t
t
DW
DH
D
IN
R0201-BS616LV2015
6
修订版2.5
2002年4月