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BS616LV2023DI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BS616LV2023DI
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 128K ×16或256K ×8位切换 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K x 16 or 256K x 8 bit switchable]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 250 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
引脚说明
BS616LV2023
名字
A0 - A16地址输入
SAE地址输入
CIO X8 / X16选择输入
功能
这17个地址输入选择在RAM中的131,072个16位字中的一个。
这个地址输入包含上述17的地址输入中选择的所述一个
262,144个8位字节中的RAM中,如果CIO为LOW 。请勿使用时, CIO高。
该输入选择SRAM的组织。 131,072个16位字的配置
如果选中CIO高。选择262,144个8位字节的配置,如果是CIO
低。
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的,该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态,当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择,当WE为高电平和OE为低电平时,输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平,在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态,该芯片是
选择并允许写入的是不活动的,数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时, OE是不活动的。
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
GND
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。该芯片取消时
无论LB和UB引脚为高电平。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
R0201-BS616LV2023
2
修订版2.4
2002年4月