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BS616LV1013AIG70 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1013AIG70图片预览
型号: BS616LV1013AIG70
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 64K ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 64K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 259 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
低V
CC
数据保存波形( CE控制)
数据保持方式
BS616LV1013
VCC
V
IH
VCC
V
DR
1.5V
VCC
t
CDR
CE
VCC - 0.2V
t
R
V
IH
CE
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
Vcc/0V
1V/ns
0.5Vcc
关键开关波形
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从H到L
1269
输出
必须是
稳定
变化
从H到L
变化
以L至H
变化:
状态
未知
中心
线为高
阻抗
“关”状态
交流测试负载和波形
3.3V
产量
100PF
INCLUDING
夹具
范围
1269
3.3V
产量
可能改变
以L至H
不会在意:
任何改变
许可
申请
5PF
INCLUDING
夹具
范围
,
1404
1404
图1A
戴维南等效
667
图1b
产量
1.73V
所有的输入脉冲
VCC
GND
10%
90% 90%
10%
5ns
图2
AC电气特性
( TA = 0
o
C至+ 70
o
C, VCC = 3.0V )
读周期
JEDEC
参数
名字
参数
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出中低Z
芯片取消在高Z输出
数据字节控制到输出高Z
输出禁止到输出中高Z
从地址变化数据保持
周期:为70ns
分钟。典型值。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQV
t
E1LQV
t
BA
t
GLQV
t
E1LQX
t
BE
t
GLQX
t
E1HQZ
t
BDO
t
GHQZ
t
AXOX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
70
--
( CE)
( LB , UB )
( CE)
( LB , UB )
( CE)
( LB , UB )
--
--
--
10
10
10
--
--
--
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
70
70
40
50
--
--
--
35
30
30
--
R0201-BS616LV1013
4
修订版1.1
一月
2004