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    BS616LV2016DIG70 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV2016DIG70图片预览
    型号： BS616LV2016DIG70
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 128K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 128K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 242 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV2016DIG70的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BS616LV2016DIG70的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BS616LV2016DIG70的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV2016DIG70的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV2016DIG70的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV2016DIG70的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV2016DIG70的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV2016DIG70的Datasheet PDF文件第9页  
    BS616LV2016
    数据保持特性（T
    A
    = -40
    O
    C至+ 85
    O
    C)
    符号
    V
    DR
    I
    CCDR
    (3)
    t
    CDR
    t
    R
    参数
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据
    保留时间
    手术恢复时间
    O
    测试条件
    CE = V
    CC
    -0.2V
    V
    IN
    ≧V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≦0.2V
    CE = V
    CC
    -0.2V
    V
    IN
    ≧V
    CC
    -0.2V或V
    IN
    ≦0.2V
    分钟。
    1.5
    典型值。
    (1)
    --
    马克斯。
    --
    单位
    V
    --
    0.05
    1.0
    uA
    0
    见保留波形
    t
    RC
    (2)
    --
    --
    ns
    --
    --
    ns
    1. V
    CC
    = 1.5V ，T
    A
    = 25℃ ，而不是100 ％测试。
    2. t
    RC
    =读周期时间。
    O
    3. I
    CCDR （ MAX 。 ）
    为0.5uA的在T
    A
    =70 C.
    低V
    CC
    数据保存波形（ CE控制）
    数据保持方式
    V
    DR
    ≧1.5V
    V
    CC
    V
    CC
    V
    CC
    t
    CDR
    V
    IH
    CE = V
    CC
    - 0.2V
    t
    R
    V
    IH
    CE
    AC测试条件
    （测试负载和输入/输出参考）
    输入脉冲电平
    输入上升和下降时间
    输入和输出时序
    参考电平
    输出负载
    t
    CLZ
    , t
    OLZ
    , t
    CHZ
    , t
    OHZ
    , t
    WHZ
    OTHERS
    VCC / 0V
    1V/ns
    0.5Vcc
    C
    L
    = 5pF的+ 1TTL
    C
    L
    = 30pF的+ 1TTL
    所有的输入脉冲
    1 TTL
    产量
    C
    (1)
    L
    关键开关波形
    波形
    输入
    必须是
    稳定
    可能改变
    从“H”变为“L”
    可能改变
    从“ L”变为“ H”时
    不在乎
    任何改变
    许可
    不
    申请
    输出
    必须是
    稳定
    将改变
    从“H”变为“L”
    将改变
    从“ L”变为“ H”时
    变化：
    州UNKNOW
    中心线
    高Inpedance
    “关”状态
    V
    CC
    GND
    10%
    90%
    90%
    10%
    → ←
    上升时间：
    1V/ns
    → ←
    下降时间：
    1V/ns
    1.包括夹具和范围电容。
    R0201-BS616LV2016
    4
    调整
    1.5
    十月
    2008

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