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    BS616LV1010EIP75 参数 Datasheet PDF下载

    BS616LV1010EIP75图片预览
    型号： BS616LV1010EIP75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 241 K
    品牌： BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BS616LV1010EIP75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BS616LV1010EIP75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BS616LV1010EIP75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BS616LV1010EIP75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BS616LV1010EIP75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BS616LV1010EIP75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BS616LV1010EIP75的Datasheet PDF文件第10页浏览型号BS616LV1010EIP75的Datasheet PDF文件第11页  
    BS616LV1010
    订购信息
    BS616LV1010
    X
    X
    Z
    YY
    速度
    55 ： 55ns
    70 ：为70ns
    PKG材料
    G：绿色，符合RoHS
    P：无铅，符合RoHS要求
    GRADE
    o
    o
    C: +0 C ~ +70 C
    o
    o
    I： -40℃ 〜 + 85℃
    包
    D： DICE
    答： BGA - 48-0608
    E： TSOP II - 44
    注意：
    BSI （百联半导体公司）承担对本文所述的任何产品或电路的应用或使用不承担任何责任。 BSI呢
    没有授权其产品使用的关键部件在其中BSI产品的故障可预期导致的任何应用程序
    在显著伤害或死亡，其中包括生命支持系统和关键医疗器械。
    包装尺寸
    TSOP II- 44
    R0201-BS616LV1010
    9
    调整
    2.7
    十月
    2008

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