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BS616LV1010DIG75 参数 Datasheet PDF下载

BS616LV1010DIG75图片预览
型号: BS616LV1010DIG75
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内容描述: 超低功耗CMOS SRAM 64K ×16位 [Very Low Power CMOS SRAM 64K X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 241 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BS616LV1010
AC电气特性(T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
写周期
JEDEC
PARANETER
参数
名字
名字
描述
写周期时间
地址建立时间
地址有效到写结束
片选写的结束
数据字节的控制来写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高Z
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出禁止到输出中高Z
写结束到输出有效
( CE , WE)
( CE)
( LB , UB )
周期时间: 55ns
(V
CC
=2.7~5.5V)
分钟。
55
0
55
55
25
30
0
--
25
0
--
5
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
--
--
--
--
--
--
25
--
--
25
--
周期:为70ns
(V
CC
=2.4~5.5V)
分钟。
70
0
70
70
30
35
0
--
30
0
--
5
典型值。
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
马克斯。
--
--
--
--
--
--
--
30
--
--
30
--
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
AVAX
t
AVWL
t
AVWH
t
ELWH
t
BLWH
t
WLWH
t
WHAX
t
WLQZ
t
DVWH
t
WHDX
t
GHQZ
t
WHQX
t
WC
t
AS
t
AW
t
CW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
开关波形(写周期)
写周期1
(1)
t
WC
地址
t
WR1
(3)
OE
t
CW
(11)
(5)
CE
t
BW
LB , UB
t
AW
WE
t
AS
t
OHZ
(4,10)
D
OUT
t
DH
t
DW
D
IN
t
WP
(2)
t
WR2
(3)
R0201-BS616LV1010
7
调整
2.7
十月
2008