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BS616LV1613FI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BS616LV1613FI
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内容描述: 非常低的功率/电压CMOS SRAM 1M ×16位 [Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 256 K
品牌: BSI [ BRILLIANCE SEMICONDUCTOR ]
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BSI
引脚说明
BS616LV1613
功能
这20个地址输入选择在RAM中的1048576个16位字中的一个。
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的,该装置是
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高
阻抗状态,当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择,当WE为高电平和OE为低电平时,输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平,在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态,该芯片是
选择并允许写入的是不活动的,数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态时, OE是不活动的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
这16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
名字
A0 - A19地址输入
CE1芯片使能输入1
CE2芯片使能输入2
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
D0 - D15数据输入/输出端口
VCC
VSS
真值表
模式
未选择
(断电)
输出禁用
CE1
H
X
L
L
CE2
X
L
H
H
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
L
LB
X
X
X
L
H
L
L
L
H
L
X
H
L
UB
X
X
X
L
L
H
L
L
H
D0~D7
高Z
高Z
高Z
DOUT
高Z
DOUT
DIN
X
DIN
D8~D15
高Z
高Z
高Z
DOUT
DOUT
高Z
DIN
DIN
X
VCC电流
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
端电压
对于GND
工作范围
单位
V
O
O
等级
-0.5到
Vcc+0.5
-40至+85
-60到+150
1.0
20
范围
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
C
C
W
mA
电容
(1)
( TA = 25
o
C,F = 1.0兆赫)
符号
参数
输入
电容
输入/输出
电容
条件
马克斯。
单位
C
IN
V
IN
=0V
10
pF
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
C
DQ
V
I / O
=0V
12
pF
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件,在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
1.此参数是保证,而不是100 %测试。
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
R0201-BS616LV1613
2
修订版1.1
一月
2004