[ PHILIPS ] BUK9528-55 Datasheet下载

厂商:

NXP SEMICONDUCTORS

PHILIPS

NXP SEMICONDUCTORS

描述:

的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管

TrenchMOS transistor Logic level FET

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BUK9528-55A,127 品牌:NXP USA Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BUK9528-55A,127 图片
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
28 毫欧 @ 20A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1700pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
99W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
50
其它名称
934056256127 BUK9528-55A BUK9528-55A-ND

[ PHILIPS ] BUK9528-55 Datasheet下载

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NXP SEMICONDUCTORS

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NXP SEMICONDUCTORS

描述:

的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管

TrenchMOS transistor Logic level FET

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[ PHILIPS ] BUK9528-55A Datasheet下载

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NXP SEMICONDUCTORS

PHILIPS

NXP SEMICONDUCTORS

描述:

的TrenchMOS逻辑电平FET

TrenchMOS logic level FET

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[ PHILIPS ] BUK9529-100B Datasheet下载

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NXP SEMICONDUCTORS

PHILIPS

NXP SEMICONDUCTORS

描述:

的TrenchMOS ™逻辑电平FET

TrenchMOS⑩ logic level FET

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[ PHILIPS ] BUK9529-100B Datasheet下载

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NXP SEMICONDUCTORS

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NXP SEMICONDUCTORS

描述:

的TrenchMOS ™逻辑电平FET

TrenchMOS⑩ logic level FET

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[ PHILIPS ] BUK952R4-40C Datasheet下载

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NXP SEMICONDUCTORS

PHILIPS

NXP SEMICONDUCTORS

描述:

N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET

N-channel TrenchMOS logic level FET

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[ ETC ] BUK952R8-30B Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 30V V( BR ) DSS | 75A I( D) | TO- 220AB\n

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB

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[ ETC ] BUK9535-100A Datasheet下载

厂商:

ETC

ETC

ETC

描述:

晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V( BR ) DSS | 41A I( D) | TO- 220AB

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-220AB

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BUK9529-100B,127 品牌:Nexperia USA Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BUK9529-100B,127 图片
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
46A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
27 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
33nC @ 5V
Vgs(最大值)
±15V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4360pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
157W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
50
其它名称
568-5731 568-5731-5 568-5731-ND 934057749127 BUK9529-100B BUK9529-100B,127-ND BUK9529-100B-ND BUK9529100B127
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
1(无限)

BUK952R3-40E,127 品牌:NXP USA Inc.

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
BUK952R3-40E,127 图片
制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
2.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
87.8nC @ 5V
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
13160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
293W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
标准包装
50
其它名称
568-9861-5 934066419127 BUK952R340E127
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • BUK9528-55
  • 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管
    TrenchMOS transistor Logic level FET

  • PHILIPS
  • 总8页

  • 2.
  • BUK9528-55
  • 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管
    TrenchMOS transistor Logic level FET

  • PHILIPS
  • 总8页

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