加利福尼亚微设备公司
NDC
隔离电阻网络
加利福尼亚微设备？电阻阵列等同于分离的电阻网络中表面提供的混合动力
安装包。这些电阻上的间隔从而减少房地产10万的中心。这些芯片
使用先进的薄膜加工技术来制造，并且100％的电性测试，并目视检查。
TCR
工作电压
额定功率（每个电阻）
热冲击
高温曝光
耐湿性
生活
噪音
短时过载
绝缘电阻
90
参数
-55 ° C至+ 125 °
-55 ° C至+ 125 °
@ 70℃ （D中心提供全方位线性零@ 150 ° C）
方法107 MIL- STD -202F
100小时@ 150 ° C环境
方法106 MIL- STD -202F
方法108 MIL- STD -202F （ 125°C / 1000小时）
方法308 MIL- STD -202F
≥
250k
Ω
MIL-R-83401
@25°C
电气规格
测试条件
±100ppm/°C
50Vdc
50mw
±0.25%@
∆R
±0.25%
∆R
±0.5%
∆R
±0.5%
∆R
-35分贝
-30分贝
0.25%
1 X 1 0
12
Ω
最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
民
8电阻100
Ω
到346
Ω
R1
R2
R3
R4
R5
R6
R7
R8
60
值
基板
隔离层
靠山
金属化
机械的特定网络阳离子
硅10±2密耳厚
二氧化硅10,000A厚，分
研磨（金可选）
铝10,000A厚，分
（ 15,000Å金色可选）
氮化硅
格式
芯片尺寸： 90 ± 3× 60 ± 3密耳
焊盘： 5x7个典型密尔
钝化
包装
2平方英寸塔板的最大196芯片。
注释
1.电阻器图案可能会发生变化，从一个值到另一个。
CC
系列
5003
价值
前3位
是
显著
值。最后
位
代表
数
零。 ř
指示
小数点。
F
公差
TCR
D = ±0.5 ％无字母= ± 100ppm的
F = ±1%
A = ±50%
G = ±2%
B = ±25%
J = ±5%
K = ±10%
M = ±20%
零件编号的指定ñ
A
G
W
B○ N D P在DS
G =围棋升ð
不信=铝
靠山
W =围棋升ð
L =绕包
不信=要么
P
率误差
不信= ± 1 ％
P = ±0.5%
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