公司
N沟道增强模式
MOSFET通用
功放/开关
2N4351
特点
•
低导通电阻
•
低电容
收益
•
高栅极击穿电压
高
•
•
低阈值电压
引脚配置
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏源电压和漏极 - 本体电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
峰值栅源电压（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±125V
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 375MW
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为3mW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
TO-72
订购信息
部分
D
C
G
S
包
密封TO- 72
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
2N4351
X2N4351
1003
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
BV
DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
V
DS （ ON）
r
DS （ ON）
| y
fs
|
C
RSS
C
国际空间站
C
D（子）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
参数
漏源击穿电压
栅极漏电流
零栅极电压漏电流
门源阈值电压
"ON"漏电流
漏源电压"ON"
漏源电阻
正向转移导纳
反向传输电容（注2 ）
输入电容（注2 ）
汲极衬底电容（注2 ）
导通延迟（注2 ）
上升时间（注2 ）
关闭延迟（注2 ）
下降时间（注2 ）
1000
1.3
5.0
5.0
45
65
60
100
ns
pF
1
3
1
300
民
25
10
10
5
最大
单位
V
pA
nA
V
mA
V
欧
µS
测试条件
I
D
= 10μA ，V
GS
= 0
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ，我
D
= 10µA
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V
I
D
= 2毫安，V
GS
= 10V
V
GS
= 10V ，我
D
= 0中，f = 1kHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 2毫安中，f = 1kHz时
V
DS
= 0, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1MHz的
V
D（子）
= 10V ， F = 1MHz的
注：1 。
设备必须在不进行测试
±125V
一次以上或超过300ms的时间更长。
2.
仅供设计参考，未经100％测试。
CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
