P沟道增强模式
MOSFET放大器/开关
公司
2N4352
特点
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏 - 源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
漏极 - 栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30V
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±30V
漏电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.7MW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
•
•
•
•
低导通电阻
低电容
高增益
P沟道补到2N4341
引脚配置
TO-72
订购信息
D
C
G
S
部分
2N4352
X2N4352
包
密封TO- 72
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
1503
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
V
（ BR ） DSX
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
I
D（上）
r
DS （ ON）
| y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
D（子）
t
d1
t
r
t
d2
t
f
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏电流
门反向电流
栅极阈值电压
漏源电压
通态漏电流
漏源电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
漏 - 衬底电容
导通延迟
上升时间
关断延时
下降时间
1000
5.0
1.3
5.0
45
65
60
100
ns
I
D
= -2.0mAdc ，V
DS
= -10VDC
V
GS
= -10V
pF
-3.0
600
-1.0
民
-25
-10
-10
±10
-5.0
-1.0
最大
单位
VDC
NADC
μAdc
pA
VDC
V
mA
欧
μmho
测试条件
I
D
= -10μA ，V
GS
= 0
V
DS
= -10V, V
GS
= 0, T
A
= 25
o
C
V
DS
= -10V, V
GS
= 0, T
A
= 150
o
C
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0
V
DS
= -10V ，我
D
= -10µA
I
D
= -2mA ，V
GS
= -10V
V
GS
= -10V, V
DS
= -10V
V
GS
= -10V ，我
D
= 0中，f = 1.0kHz
V
DS
= -10V ，我
D
= 2.0毫安， F = 1.0kHz
V
DS
= -10V, V
GS
= 0中，f = 140MHz的
V
DS
= 0, V
GS
= 0中，f = 140MHz的
V
D（子）
= -10V ， F = 140kHz
CALOGIC公司，
237惠特尼广场，弗里蒙特，加利福尼亚州94539 ，电话： 510-656-2900 ，传真： 510-651-3025
CALOGIC [ CALOGIC, LLC ]
