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NE662M04-T2 参数 Datasheet PDF下载

NE662M04-T2图片预览
型号: NE662M04-T2
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 11 页 / 384 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE662M04
典型性能曲线
噪声系数和相关的
增益与频率
4.5
V
CE
= 2V ,L
C
= 5毫安
4.0
16
18
(T
A
= 25˚C)
噪声系数和相关的
增益与频率
4.5
V
C
= 2V ,L
C
= 10毫安
4.0
16
14
G
A
3.0
2.5
12
10
18
相关的增益,G
A
( dB)的
3.5
G
A
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
2
3
4
5
6
7
NF
14
12
10
8
6
4
2
8 9 10 12
3.5
2.0
1.5
NF
1.0
2
3
4
5
6
7
8 9 1012
8
6
4
频率f ( GHz)的
频率f ( GHz)的
噪声系数和相关的
增益与集电极电流
6.00
F = 2.5千兆赫,V
CE
= 2 V
30.0
6.00
噪声系数和相关的
增益与集电极电流
30.0
F = 1.5千兆赫,V
CE
= 2 V
相关的增益,G
A
( dB)的
G
A
4.00
20.0
4.00
G
A
3.00
20.0
15.0
3.00
15.0
2.00
NF
10.0
2.00
NF
1.00
10.0
1.00
5.0
5.0
0.00
1
10
0.0
100
0.00
1
10
0.0
100
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,L
C
(MA )
噪声系数和相关的
增益与集电极电流
6.00
F = 2.0千兆赫,V
CE
= 2 V
30.0
噪声系数和相关的
增益与集电极电流
6.00
F = 1.0千兆赫,V
CE
= 2 V
30.0
相关的增益,G
A
( dB)的
5.00
25.0
4.00
G
A
3.00
20.0
4.00
20.0
15.0
3.00
15.0
2.00
NF
10.0
2.00
NF
1.00
10.0
1.00
5.0
5.0
0.00
1
10
0.0
100
0.00
1
10
0.0
100
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
相关的增益,G
A
( dB)的
5.00
G
A
25.0
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
相关的增益,G
A
( dB)的
5.00
25.0
5.00
25.0
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
相关的增益,G
A
( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的