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NE68130-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE68130-T1-A图片预览
型号: NE68130-T1-A
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内容描述: NPN硅高频三极管 [NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管ISM频段放大器
文件页数/大小: 21 页 / 627 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE681系列
NE68133
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
频率。
(兆赫)
NF
选择
( dB)的
G
A
( dB)的
Γ
选择
MAG
0.75
0.74
0.68
0.63
0.68
0.63
0.57
0.50
0.44
0.54
0.51
0.46
0.36
0.35
47
72
88
122
47
70
87
120
168
47
67
86
128
172
Rn/50
1.15
0.97
0.71
0.34
0.42
0.34
0.30
0.17
0.11
0.24
0.20
0.18
0.12
0.10
NE68139
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
频率。
(兆赫)
500
800
1000
500
800
1000
1500
NF
选择
( dB)的
1.20
1.45
1.67
0.90
1.10
1.26
1.70
G
A
( dB)的
14.10
8.42
8.37
15.71
12.30
11.66
8.85
Γ
选择
MAG
0.78
0.75
0.68
0.63
0.56
0.53
0.49
0.57
0.45
0.39
0.37
0.35
0.43
0.26
0.16
0.20
0.31
0.53
0.71
47
72
95
44
72
98
145
178
44
73
99
151
-177
42
133
176
-165
-123
-101
Rn/50
1.28
0.84
0.56
0.43
0.26
0.20
0.12
0.07
0.25
0.19
0.16
0.09
0.07
0.17
0.14
0.09
0.14
0.48
0.90
V
CE
= 2.5 V,I
C
- 0.3毫安
500
1.21
12.45
800
1000
1500
500
800
1000
1500
2000
500
800
1000
1500
2000
1.69
1.95
2.52
.92
1.20
1.35
1.71
2.00
0.86
1.00
1.08
1.25
1.40
7.72
5.96
3.12
14.52
10.57
9.29
6.53
5.53
16.37
12.41
11.07
8.61
6.99
V
CE
= 2.5 V,I
C
- 0.3毫安
V
CE
= 2.5 V,I
C
= 1毫安
V
CE
= 2.5 V,I
C
= 1.0毫安
2000
2.20
7.12
V
CE
= 2.5 V,I
C
= 3毫安
500
800
1000
1500
2000
500
1000
1500
2000
3000
4000
0.88
1.00
1.08
1.30
1.80
1.15
1.25
1.4
1.6
2.15
3.0
18.20
14.62
13.29
10.54
8.60
20.50
15.62
12.49
10.48
8.00
6.81
V
CE
= 2.5 V,I
C
= 3毫安
V
CE
= 8 V,I
C
= 7毫安
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
正向插入增益
和最大可用增益
与频率的关系
30
NE68100 & NE68135
插入增益与
集电极电流
12
V
CE
= 8 V
F = 2 GHz的
插入增益, | S
21E
|
2
( dB)的
最大可用增益, MAG (分贝)
V
CE
= 8 V
I
C
= 20毫安
|S
21E
|
2
NE68100
MAG NE68135
插入增益, | S
21E
|
2
( dB)的
25
10
F = 3 GHz的
20
8
F = 4 GHz的
6
15
10
NE68133
5
|S
21E
|
2
MAG
4
2
0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
0
1
2
3
5
7
10
20
30
50
频率f ( GHz)的
集电极电流,I
C
(MA )