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NESG2031M05-T1 参数 Datasheet PDF下载

NESG2031M05-T1图片预览
型号: NESG2031M05-T1
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内容描述: NPN硅锗高频三极管 [NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 13 页 / 788 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NESG2031M05
典型性能曲线
(T
A
= 25ºC)
输出功率,集电极CUR-
出租随输入功率
20
V
CE
= 3 V , F = 2 GHz的
I
cq
能力= 20 mA ( RF OFF)
50
20
V
CE
= 3 V , F = 3 GHz的
I
cq
能力= 20 mA ( RF OFF)
输出功率,集电极CUR-
出租随输入功率
50
集电极电流,I
C
(MA )
输出功率P
OUT
( dBm的)
输出功率P
OUT
( dBm的)
15
15
P
OUT
40
P
OUT
10
30
10
30
5
20
5
I
C
20
I
C
0
10
0
10
-5
-25
-20
-15
-10
-5
0
0
-5
-20
-15
-10
-5
0
0
5
输入功率, P
in
( dBm的)
输出功率,集电极CUR-
出租随输入功率
20
V
CE
= 3 V , F = 5.2 GHz的
I
cq
能力= 20 mA ( RF OFF)
50
输入功率, P
in
( dBm的)
噪声系数,相关的增益
与集电极电流
6
30
输出功率P
OUT
( dBm的)
15
P
OUT
10
4
20
30
3
15
5
I
C
20
2
10
0
10
1
NF
5
V
CE
= 1 V
F = 1 GHz的
0
100
-5
-15
-10
-5
0
5
0
10
0
1
10
输入功率, P
in
( dBm的)
噪声系数,相关的增益
与集电极电流
6
30
集电极电流,I
C
(MA )
噪声系数,相关的增益
与集电极电流
6
30
G
a
相关的增益,G
a
( dB)的
4
20
4
G
a
20
3
15
3
15
2
10
2
10
1
5
1
5
NF
0
1
10
V
CE
= 2 V
F = 1 GHz的
0
100
NF
0
1
10
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
0
100
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
相关的增益,G
a
( dB)的
5
25
5
25
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
相关的增益,G
a
( dB)的
40
集电极电流,I
C
(MA )
5
G
a
25
噪声系数NF ( dB)的
集电极电流,I
C
(MA )
40