NEC的
φ
50
µ
砷化铟镓APD
µm
IN同轴封装NR8501系列
用于2.5Gb / s的应用
特点
•
小暗电流：
I
D
= 7 nA的
•
高灵敏度：
在S = 0.94 / W
λ
= 1310纳米， M = 1的
在S = 0.96 / W
λ
= 1550纳米， M = 1的
•
高速响应：
f
C
= 2.5时，M = 5 GHz的
•
同轴模块，单模光纤（ SMF ）
或GI- 50光纤
•
带SC连接器：标准， FC连接器：选项
（请参阅订购信息）
描述
NEC的NR8501系列的铟镓砷雪崩光电二极管
（ APD ）与光纤尾纤同轴单元。他们是
设计用于长波长为2.5Gb / s光通信
系统，并且是理想的reciever的同步数字
系列（SDH ）系统， STM-16的ITU-T的建议。
光电特性
(T
C
= 25 ° C，除非另有规定编）
产品型号
符号
V
BR
δ
1
I
D
I
DM
C
t
f
C
参数和条件
反向击穿电压，I
D
=100
µA
的反向击穿电压的温度系数
暗电流，V
R
= V
BR
x 0.9
相乘的暗电流，M = 2〜10的
终端电容，V
R
= V
（ BR ）R
×0.9 ， F = 1兆赫
截止频率， M = 5
M = 10
M = 30
灵敏度，
λ
= 1310纳米， M = 1的
λ
= 1550纳米， M = 1的
V
R
= V （ @I
D
= 1
µA)
x
F
ORL
多余的噪声系数
2
,
λ
= 1310纳米， 1550纳米，
I
PO
=1.0
µA,
M = 10 ， F = 35 MHz时， B = 1兆赫
多余的噪声系数
2
,
λ
= 1310纳米， 1550纳米，
I
PO
=1.0
µA,
M = 10 ， F = 35 MHz时， B = 1兆赫
光回损
SMF
GI- 50光纤
dB
30
28
0.7
5
单位
V
%/ºC
nA
nA
pF
GHz的
2.5
2.5
1.0
0.80
0.81
30
民
40
NR8501系列
典型值
60
0.20
7
1
0.5
3.0
3.0
1.2
0.94
0.96
40
30
5
0.75
最大
80
S
M
/ W
倍增系数，
λ
= 1310纳米，我
PO
= 1.0
µA
注意事项：
V
BR
(25°C+∆T°C)-V
BR
(25°C)
1.
δ
=
ΔT ℃，
•
V
BR
(25°C)
X
2. ˚F = M
美国加州东部实验室
CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
