CLE234E
非常高的输出砷化铝镓
四核芯片的红外发光二极管阵列
0.130 （ 3.30 ）最大
1.00 （ 25.4 ）最小。
0.050 （ 1.27 ） MAX
®
CLAIREX
2006年3月，
0.213 (5.41)
0.207 (5.26)
技术公司
.
0.100 （ 2.54 ）引脚圈
阳极
阳极
0.169 (4.29)
0.163 (4.14)
（接
以案例）
阴极
阴极
0.010 （ 0.25 ） NOM
0.019 (0.48)
0.016 (0.41)
0.147 (3.73)
0.137 (3.48)
正极引线必须在外部连接在一起
案例6
所有尺寸为英寸（毫米）
特点
•
很宽的发射角
•
波长880nm的
•
TO- 46环氧树脂圆顶头
•
高功率输出
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
描述
该CLE234E是一种先进的，高
效率高，速度快的AlGaAs
红外线发光二极管与四倍
注意事项：
1. 0.06 “ （ 1.5毫米）从为最大5秒头。
典型的发光表面
2.减免线性4.0毫安/℃的25 ℃的自由空气温度至T
A
= +125°C.
的AlGaAs发射器。高功率输出是
3.减免线性4.0mW时/ ℃，从25℃自由空气温度至T
A
= +125°C.
实现有四个等距间隔开的
4.操作在这个级别需要一个合适的散热器。
更高的电流阴极接触
分布。负极触点
结合成对，每对键合
一个单独的引线，这需要
操作过程中连接。芯片
尺寸为0.030 “由0.030 ” 。在TO- 46
头提供可靠的操作
在很宽的温度范围内。
储存温度................................................ ...................... -40 ° C至+ 125°C
工作温度................................................ ................... -40 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
(1)
......................................................................... 260°C
(2)(4)
.................................................. ................... 500毫安
连续正向电流
峰值正向电流（ 1.0ms的脉冲宽度，占空比为10％ ） ................................. 4A
反向电压................................................ .................................................. 5V ..
连续功率耗散
(3)
.................................................. .................. 500mW的
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
P
O
V
F
I
R
λ
p
BW
θ
HP
t
r,
t
f
参数
总输出功率
正向电压
反向电流
峰值发射波长
光谱带宽的半功率
余吨
发射角在半功率点
辐射的上升和下降时间
民
-
-
-
-
-
-
-
典型值
8.0
1.65
-
880
45
100
700
最大
-
1.8
10
-
-
-
-
单位
mW
V
µA
nm
nm
度。
ns
测试条件
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 5V
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F
= 100毫安
I
F（ PK）
= 100mA时F = 1kHz时，特区= 50 ％
Clairex保留随时进行修改，以提高设计和提供最好的产品的权利。
修订后的06年3月15日
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