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FDD86381-F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80 V,25 A,21 mΩ
开关晶体管
0 ONSEMI

10-FY123BA080SH03-LN28L47

Easy paralleling;High speed switching;Low switching losses
暂无信息
2 VINCOTECH

HUFA75321D3ST

55 V、20 A、30 mΩ、D2PAKN 沟道 UltraFET®
开关晶体管
0 ONSEMI

GCG1555G1H6R4BA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
2 MURATA

GRM1884C1H1R2CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM033R61C104ME14#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM216R11H331KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

PUMD16

50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 22 kΩ, R2 = 47 kΩProduction
PC开关光电二极管晶体管
0 NEXPERIA

GMD033R11E221MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

NVHL082N65S3HF

Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, FRFET®, 650 V , 40 A, 82 mΩ, TO-247 fast recovery
暂无信息
1 ONSEMI

ISC030N12NM6

This is a normal level 120 V MOSFET in SuperSO8 packaging with 3.04 mOhm on-resistance.  ISC030N12NM6 is part of Infineon’s OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
暂无信息
0 INFINEON

10-FZ127PA015SC-L158E08

Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
暂无信息
0 VINCOTECH

GRM319B11H333KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM21B5C2E562FX0A#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

FQT7N10TF

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,1.7 A,350 mΩ,SOT-223
暂无信息
0 ONSEMI