[ CYPRESS ] CY7C1370DV25-167BZI Datasheet下载

厂商:

CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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CY7C1370DV25-167BZI 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
CY7C1370DV25-167BZI 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
NoBL™
包装
托盘
零件状态
停產
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步
存储容量
18Mb (512K x 36)
时钟频率
167MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
3.4ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.375 V ~ 2.625 V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
165-LBGA
供应商器件封装
165-FBGA(13x15)
基本零件编号
CY7C1370
标准包装
136

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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[ CYPRESS ] CY7C1370DV25-167BZXC Datasheet下载

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

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18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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[ CYPRESS ] CY7C1370DV25-167BZXI Datasheet下载

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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[ CYPRESS ] CY7C1370DV25-167BZXI Datasheet下载

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

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18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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[ CYPRESS ] CY7C1370DV25-200 Datasheet下载

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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[ CYPRESS ] CY7C1370DV25-200AXC Datasheet下载

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构

18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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CY7C1370DV25-200AXC 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
CY7C1370DV25-200AXC 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
NoBL™
包装
托盘
零件状态
停產
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步
存储容量
18Mb (512K x 36)
时钟频率
200MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
3ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.375 V ~ 2.625 V
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
100-LQFP
供应商器件封装
100-TQFP(14x20)
基本零件编号
CY7C1370
标准包装
72
其它名称
428-2138 CY7C1370DV25-200AXC-ND CY7C1370DV25200AXC

CY7C1370DV25-200AXCT 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
CY7C1370DV25-200AXCT 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
NoBL™
包装
带卷(TR)
零件状态
停產
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步
存储容量
18Mb (512K x 36)
时钟频率
200MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
3ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.375 V ~ 2.625 V
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
100-LQFP
供应商器件封装
100-TQFP(14x20)
基本零件编号
CY7C1370
标准包装
750
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
3(168 小时)
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • CY7C1370DV25-167BZI
  • 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构
    18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

  • CYPRESS
  • 总27页

  • 2.
  • CY7C1370DV25-167BZI
  • 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构
    18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

  • CYPRESS
  • 总30页

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