[ CYPRESS ] CY7C1470V25-200BZC Datasheet下载

厂商:

CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

72兆位(2M X 36/4的M× 18/1米× 72 )流水线SRAM与NOBL架构

72-Mbit (2 M x 36/4 M x 18/1 M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

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CY7C1470V25-200BZC 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
CY7C1470V25-200BZC 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
NoBL™
包装
托盘
零件状态
停產
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步
存储容量
72Mb (2M x 36)
时钟频率
200MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
3ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.375 V ~ 2.625 V
工作温度
0°C ~ 70°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
165-LBGA
供应商器件封装
165-FBGA(15x17)
基本零件编号
CY7C1470
标准包装
105

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厂商:

CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构

72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构

72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构

72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

72兆位( 2 M A ?? 36/4米?? 18/1米? 72 )流水线SRAM与NoBLâ ?? ¢架构

72-Mbit (2 M × 36/4 M × 18/1 M × 72) Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构

72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

72兆位(2M X 36/4的M× 18/1米× 72 )流水线SRAM与NOBL架构

72-Mbit (2 M x 36/4 M x 18/1 M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

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CYPRESS SEMICONDUCTOR

CYPRESS

CYPRESS SEMICONDUCTOR

描述:

72兆位( 2 M A ?? 36/4米?? 18/1米? 72 )流水线SRAM与NoBLâ ?? ¢架构

72-Mbit (2 M × 36/4 M × 18/1 M × 72) Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture

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CY7C1470V25-200BZI 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
CY7C1470V25-200BZI 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
NoBL™
包装
托盘
零件状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步
存储容量
72Mb (2M x 36)
时钟频率
200MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
3ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.375 V ~ 2.625 V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
165-LBGA
供应商器件封装
165-FBGA(15x17)
基本零件编号
CY7C1470
标准包装
105
其它名称
CY7C1470V25200BZI
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)
3(168 小时)

CY7C1470V25-200BZIT 品牌:Cypress Semiconductor Corp

分类:
存储器
图片:
CY7C1470V25-200BZIT 图片
制造商
Cypress Semiconductor Corp
系列
NoBL™
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步
存储容量
72Mb (2M x 36)
时钟频率
200MHz
写周期时间 - 字,页
-
访问时间
3ns
存储器接口
并联
电压 - 电源
2.375 V ~ 2.625 V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
165-LBGA
供应商器件封装
165-FBGA(15x17)
基本零件编号
CY7C1470
标准包装
1,000
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • CY7C1470V25-200BZC
  • 72兆位(2M X 36/4的M× 18/1米× 72 )流水线SRAM与NOBL架构
    72-Mbit (2 M x 36/4 M x 18/1 M x 72) Pipelined SRAM with NoBL Architecture

  • CYPRESS
  • 总31页

  • 2.
  • CY7C1470V25-200BZC
  • 72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构
    72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture

  • CYPRESS
  • 总27页

  • 3.
  • CY7C1470V25-200BZC
  • 72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构
    72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

  • CYPRESS
  • 总27页

  • 4.
  • CY7C1470V25-200BZC
  • 72兆位( 2M ×36 / 4M ×18 / 1M X 72 )流水线SRAM与NOBL ™架构
    72-Mbit(2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

  • CYPRESS
  • 总28页

  • 5.
  • CY7C1470V25-200BZC
  • 72兆位( 2 M A ?? 36/4米?? 18/1米? 72 )流水线SRAM与NoBLâ ?? ¢架构
    72-Mbit (2 M × 36/4 M × 18/1 M × 72) Pipelined SRAM with NoBL™ Architecture

  • CYPRESS
  • 总38页

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