CY2305
CY2309
典型的占空比
[8]
我
DD
趋势
[9]
对于CY2305-1和CY2309-1
占空比VS VDD
（ 30 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
占空比VS VDD
（ 15 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
54
52
50
48
46
44
42
40
33兆赫
66兆赫
100兆赫
133兆赫
54
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
Vdd的（V）的
3.4
3.5
3.6
33兆赫
66兆赫
100兆赫
3
3.1
3.2
3.3
Vdd的（V）的
3.4
3.5
3.6
占空比与频率
（ 30 pF的负载在整个温度范围 - 3.3V ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
占空比与频率
（ 15 pF的负载在整个温度范围 - 3.3V ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
-40C
0C
25C
70C
85C
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
频率（MHz）
100
120
140
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
频率（MHz）
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
IDD VS加载输出数
（ 30 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
140
120
100
IDD （MA ）
IDD VS加载输出数
（ 15 pF的负载过频 - 3.3V ，25°C ）
140
120
100
IDD （MA ）
33兆赫
66兆赫
100兆赫
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
＃加载产出
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
＃加载产出
33兆赫
66兆赫
100兆赫
注意事项：
8.占空比是从1.4V时测得的典型芯片。
9. I
DD
数据是从我计算
DD
= I
CORE
+ nCVf ，在那里我
CORE
是空载电流。 （N = ＃输出; V =供电;每路输出（ F） C =电容负载
电压（V） ; F =频率（Hz ） ） 。
文件编号： 38-07140牧师* G
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
