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CY62136VLL-70ZI 参数 Datasheet PDF下载

CY62136VLL-70ZI图片预览
型号: CY62136VLL-70ZI
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内容描述: 2兆位( 128K ×16 )静态RAM [2-Mbit (128K x 16) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 352 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62136V的MoBL
®
2兆位( 128K ×16 )静态RAM
特点
•高速
= 55 ns的
•温度范围
- 工业级: -40 ° C至85°C
- 汽车: -40°C至125°C
=宽电压范围
— 2.7V – 3.6V
•超低工作,待机功耗
•易于内存扩展CE和OE特点
• TTL兼容的输入和输出
•自动断电时取消
• CMOS的最佳速度/功耗
•提供无铅和无无铅44引脚TSOP
II型(向前的引脚)和48球FBGA封装
这是理想的提供更多的电池寿命™ (的MoBL
®
)在
便携式应用,如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能,可显著
功耗降低99%时的地址是不
切换。该设备还可以置于待机模式时
取消选择( CE HIGH ) 。的输入/输出管脚( I / O的
0
通过
I / O
15
)被置于高阻抗状态时:取消
( CE HIGH ) ,输出被禁止( OE高) , BHE和BLE
禁用( BHE , BLE HIGH) ,或写操作( CE过程
低电平和WE为低电平) 。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
) ,是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
16
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
8
通过I / O
15
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
使能( CE)和输出使能( OE )为低,同时迫使
写使能( WE) HIGH 。如果低字节使能( BLE )低,
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )是
低,再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
功能说明
[1]
该CY62136V是一个高性能的CMOS静态RAM
16位组织为128K字。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低的工作电流。
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
128K ×16
RAM阵列
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
12
A
11
A
13
注意:
1.为了达到最佳实践建议,请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
14
A
15
A
16
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05087牧师* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年7月19日