CY62146EV30的MoBL
®
4兆位（ 256K ×16 ）静态RAM
特点
•超高速： 45纳秒
•宽电压范围： 2.20V - 3.60V
•引脚与CY62146DV30兼容
•超低待机功耗
- 典型待机电流： 1
µA
- 最大待机电流： 7
µA
•超低有功功率
- 典型工作电流：2毫安F = 1兆赫
•易于扩展内存通过CE ， OE和特点
取消时•自动断电
• CMOS最佳的速度和力量
•提供无铅48球VFBGA和44引脚TSOP II
套餐
功耗降低80％时的地址不
切换。该设备还可以置于待机模式
功耗降低时的99％以上
取消选择（ CE HIGH ） 。的输入和输出引脚（IO
0
通过
IO
15
）被置于高阻抗状态时：
•取消（ CE HIGH ）
•禁用输出（ OE高）
•两个高字节使能和低字节使能禁用
（ BHE ， BLE高）
•写操作处于活动状态（低CE和WE LOW ）
通过采取芯片使能（ CE）写入设备和写入
使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从IO引脚上的数据（ IO
0
通过IO
7
） ，被写入到
在地址引脚指定位置（A
0
至A
17
） 。如果字节
高使能（ BHE ）为低电平，然后从IO引脚上的数据（ IO
8
通过IO
15
）被写入到所指定的位置的
地址引脚（A
0
至A
17
).
从设备读取采取芯片使能（ CE）和输出
启用（ OE ）低，而强迫写使能（ WE） HIGH 。
如果字节低使能（ BLE）为低电平时，则数据从存储器
由地址引脚指定位置上出现IO
0
到IO
7
。如果
高字节使能（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据
出现在IO
8
到IO
15
。见
一
读写模式，完整的描述。
功能说明
该CY62146EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为256K字。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命™ （的MoBL
®
）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能，可显著
产品组合
功耗
产品
V
CC
范围（V ）
民
CY62146EV30LL
2.2
典型值
3.0
最大
3.6
45纳秒
速度
（纳秒）
典型值
2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1 MHz的
最大
2.5
f = f
最大
典型值
15
最大
20
待我
SB2
(µA)
典型值
1
最大
7
注意事项：
1.为了达到最佳实践建议，请参考赛普拉斯应用笔记
系统设计指南
on
http://www.cypress.com 。
2.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）
, T
A
= 25°C.
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05567牧师* C
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709 •
408-943-2600
修订后的2007年3月26日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
