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CY62147CV30LL-70BAI 参数 Datasheet PDF下载

CY62147CV30LL-70BAI图片预览
型号: CY62147CV30LL-70BAI
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内容描述: 256K ×16静态RAM [256K x 16 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 303 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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47V
CY62147CV25/30/33
的MoBL ™
256K ×16静态RAM
特点
•高速
- 55 ns到70 ns的可用性
•电压范围:
- CY62147CV25 : 2.2V - 2.7V
- CY62147CV30 : 2.7V - 3.3V
- CY62147CV33 : 3.0V - 3.6V
•引脚兼容CY62147V
•超低有功功率
- 典型工作电流:1.5毫安, F = 1兆赫
- 典型工作电流: 5.5毫安@频率= F
最大
( 70纳秒的速度)
低待机功耗
易内存扩展CE和OE特点
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
着80%的地址时降低功耗
不切换。该设备还可以置于待机模式
dese-时功耗降低了99%以上的
lected ( CE为高或都BLE和BHE是HIGH ) 。在 -
把/输出引脚( I / O
0
通过I / O
15
)被放置在一个高im-
,输出取消(CE HIGH ):当pedance状态
禁用( OE高) ,这两个高字节使能和低字节
启用已禁用( BHE , BLE HIGH) ,或在写能操作
通报BULLETIN ( CE LOW和WE低)。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
) ,是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
17
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
8
通过I / O
15
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
使能( CE)和输出使能( OE )为低,同时迫使
写使能( WE) HIGH 。如果低字节使能( BLE )低,
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )是
低,再从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
该CY62147CV25 / 30/ 33个在48球FBGA封装提供
封装。
功能说明
该CY62147CV25 / 33分之30是高性能静态CMOS
RAM的16位组织为256K字。这些设备
采用先进的电路设计,提供超低电流活跃
租。这是理想的提供更多的电池寿命™ (的MoBL ™ )
在便携式应用中,诸如蜂窝电话。 DE-的
恶习也有显自动断电功能
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K ×16
RAM阵列
2048 x 2048
检测放大器
I / O
0
- I / O
7
I / O
8
- I / O
15
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
POW
-
唐氏儿
电路
BHE
BLE
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05202修订版**
3901北一街
A
17
圣荷西
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2002年4月24日