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CY62148BLL-70SI 参数 Datasheet PDF下载

CY62148BLL-70SI图片预览
型号: CY62148BLL-70SI
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内容描述: 512K ×8静态RAM [512K x 8 Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 11 页 / 191 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62148B的MoBL ™
电气特性
在整个工作范围
CY62148B-70
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
GND
V
I
V
CC
GND
V
I
V
CC
,输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
最大。 V
CC
,
CE
V
IH
V
IN
V
IH
or
V
IN
V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE
V
CC
– 0.3V,
V
IN
V
CC
– 0.3V,
或V
IN
0.3V , F = 0
COM / Ind'l
I
OUT
= 0毫安
V
CC
=最大,
COM /
Ind'l
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= - 1毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.3
–1
–1
12.5
2.5
1.5
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+0.3
0.8
+1
+1
20
典型值。
[3]
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
mA
I
SB1
I
SB2
COM /
Ind'l
4
20
µA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1 1800
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
990
5V
产量
5 pF的
R1 1800Ω
所有的输入脉冲
3.0V
90%
R2
990
GND
3纳秒
10%
90%
10%
3纳秒
(a)
INCLUDING
夹具
范围
(b)
相当于:
戴维南等效
639
1.77V
产量
注意:
4.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05039牧师* B
第11 3