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CY62148EV30LL-45ZSXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62148EV30LL-45ZSXI图片预览
型号: CY62148EV30LL-45ZSXI
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内容描述: 4兆位( 512K ×8)静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 1007 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62148EV30的MoBL
®
4兆位( 512K ×8)静态RAM
特点
•超高速: 45纳秒
- 宽电压范围: 2.20V - 3.60V
•引脚与CY62148DV30兼容
•超低待机功耗
- 典型待机电流: 1
µA
- 最大待机电流: 7
µA
(工业级)
•超低有功功率
- 典型工作电流:2毫安F = 1兆赫
易内存扩展与CE , OE和特点
取消的时候自动断电
CMOS的最佳速度和力量
可提供无铅36球VFBGA ,32引脚TSOP II和
32引脚SOIC
套餐
功能说明
该CY62148EV30是一种高性能的CMOS静态RAM
由8位, 512K字。该设备的特点
先进的电路设计,提供超低工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命™ (的MoBL
®
)在
便携式应用,如蜂窝电话。该装置
还具有自动关机功能,可显著
降低功耗。将器件置于备用
模式时由99%以上的降低功耗
取消选择( CE HIGH ) 。八个输入和输出引脚(IO
0
通过IO
7
)被置于高阻抗状态时的
取消选择器件( CE HIGH )时,输出被禁止( OE
高) ,或者在写操作期间(CE低电平和WE为低电平) 。
写入装置,以芯片启用( CE)和写使能
( WE)输入低电平。在8 IO引脚上的数据( IO
0
通过IO
7
)
将被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
18
).
从设备中读取,需要芯片使能( CE)和输出
启用( OE )低,而强迫写使能( WE) HIGH 。
存储器位置的在这些条件下,将内容
通过引脚上出现的IO引脚的地址来指定。
逻辑框图
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
CE
WE
OE
输入缓冲器
行解码器
IO0
IO1
检测放大器
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
512K ×8
ARRAY
列解码器
动力
IO7
A13
A14
A15
A16
笔记
1. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。
2.最佳实践建议,请参考赛普拉斯应用笔记“系统设计指南”的
http://www.cypress.com 。
A17
A18
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05576牧师* ˚F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年4月18日