CY7C027V/028V
CY7C037V/038V
交流测试负载和波形
3.3V
3.3V
R1 = 590Ω
产量
C = 30 pF的
R2 = 435Ω
V
TH
= 1.4V
产量
C = 30 pF的
R
TH
= 250Ω
R1 = 590Ω
产量
C = 5 pF的
R2 = 435Ω
（一）正常负载（负载1 ）
（二）戴维宁等效（负载1 ）
所有的输入脉冲
3.0V
GND
10%
≤
3纳秒
90%
90%
10%
≤
3纳秒
（三）三态延迟（负载2 ）
（用于吨
LZ
, t
HZ
, t
HZWE
，与放;吨
LZWE
包括范围和夹具）
开关特性
在整个工作范围
[11]
CY7C037V/038V
-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE[12]
t
美国能源部
t
LZOE [13 ，14，15 ]
t
HZOE [13 ，14，15 ]
t
LZCE [13 ，14，15 ]
t
HZCE [13 ，14，15 ]
t
PU[15]
t
PD[15]
t
ABE[12]
写周期
t
WC
t
SCE[12]
t
AW
t
HA
t
SA[12]
t
PWE
t
SD
写周期时间
CE低到写结束
地址有效到写结束
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
15
12
12
0
0
12
10
20
16
16
0
0
17
12
25
20
20
0
0
22
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能存取时间
0
15
15
3
10
0
20
20
3
10
3
12
0
25
25
3
15
10
3
12
3
15
15
15
3
20
12
3
15
20
20
3
25
13
25
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
分钟。
-25
马克斯。
单位
注意事项：
11.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V ，并在指定的输出负载
I
OI
/I
OH
和30 pF负载电容。
12.要存取RAM ， CE = L ， UB = L ， SEM = H 。要访问信号量， CE = H和扫描电镜= L 。任何一个条件必须是适用于整个吨
SCE
时间。
13.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
14.使用测试条件负载2 。
15.此参数由设计保证，但未经生产测试。从写端口，读端口到端口延迟通过RAM单元的信息
口，指读时序与波形忙。
文件编号： 38-06078修订版**
第18页第7
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
