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CY7C1020-15ZC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1020-15ZC图片预览
型号: CY7C1020-15ZC
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内容描述: 32K ×16静态RAM [32K x 16 Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 186 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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020CY7C10
CY7C1020
32K ×16静态RAM
特点
• 5.0V操作( ± 10 % )
•高速
— t
AA
= 10纳秒
•低有功功率
- (最大值, 10纳秒, “L”的版本) 825毫瓦
•非常低的待机功耗
— 550
µW
(最大, “L”,版本)
•自动断电时取消
•独立的高低字节的控制
•提供44引脚TSOP II和400万SOJ
( BLE )为低电平,然后从I / O引脚(数据I / O
1
通过I / O
8
) ,是
写入的地址引脚指定的位置(A
0
至A
14
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,则数据
从I / O引脚( I / O
9
通过I / O
16
)被写入的位置
在地址引脚指定的(A
0
至A
14
).
从设备读通过取芯片恩完成
能( CE)和输出使能( OE )低,而强迫写
使能(WE )高。如果低字节使能( BLE )为低电平,则
从由地址引脚指定的存储单元的数据
将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能( BHE )低,
再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。见
在此数据表的背面为一个完整的descrip-真值表
化的读写模式。
的输入/输出管脚( I / O的
1
通过I / O
16
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
HIGH )时,输出被禁用( OE为高电平)时, BHE和BLE
禁用( BHE , BLE HIGH) ,或写操作( CE过程
低电平和WE为低电平) 。
该CY7C1020是标准的44针TSOP II型可
400密耳宽SOJ封装。
功能说明
该CY7C1020是一个高性能的CMOS静态RAM或 -
由16位ganized为32,768字。该设备具有自动
MATIC掉电功能,显著降低功耗
食用时取消。
写设备通过采取芯片使能实现
( CE)和写使能( WE)输入低电平。如果低字节使能
逻辑框图
数据驱动因素
引脚配置
SOJ / TSOP II
顶视图
NC
A
14
A
13
A
12
A
11
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
CC
V
SS
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A
10
A
9
A
8
A
7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
32K ×16
RAM阵列
I / O
1
- I / O
8
I / O
9
- I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
1020-1
A
0
A
1
A
2
OE
BHE
BLE
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
V
SS
V
CC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A
3
A
4
A
5
A
6
NC
行解码器
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
检测放大器
1020-2
选购指南
7C1020-10
最大访问时间(纳秒)
最大工作电流(mA )
L
最大的CMOS待机电流(mA )
L
10
180
150
3
0.1
7C1020-12
12
170
140
3
0.1
7C1020-15
15
160
130
3
0.1
7C1020-20
20
160
130
3
0.1
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05058牧师**
3901北一街
圣荷西
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2001年8月31日