CY7C1021B
CY7C10211B
1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM
特点
•温度范围
- 商业： 0 ° C至70℃
- 工业级： -40 ° C至85°C
- 汽车： -40°C至125°C
•高速
— t
AA
= 10纳秒（商业&工业）
— t
AA
= 15纳秒（汽车）
• CMOS的最佳速度/功耗
•低有功功率
- 825毫瓦（最大）
•自动断电时取消
•高位和低位的独立控制
•提供44引脚TSOP II和400万SOJ
•铅也可铅（Pb ） - 免费44针TSOP II
写设备通过采取芯片使能实现
（ CE）和写使能（ WE）输入低电平。如果低字节使能
（ BLE ）为低电平，然后从I / O引脚（数据I / O
1
通过I / O
8
） ，是
写入的地址引脚指定的位置（A
0
至A
15
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
9
通过I / O
16
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
15
).
从设备读通过取芯片完成
使能（ CE）和输出使能（ OE ）为低，同时迫使
写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）低，
然后从存储的位置数据由地址指定
引脚将出现在I / O
1
到I / O
8
。如果高字节使能（ BHE ）是
低，再从内存中的数据将出现在I / O
9
到I / O
16
。看
本数据手册的后面一个完整的真值表
读写模式的描述。
的输入/输出管脚（ I / O的
1
通过I / O
16
）被放置在一个
高阻抗设备时，取消选择状态（ CE
HIGH ）时，输出被禁用（ OE为高电平）时， BHE和BLE
禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写操作（ CE过程
低电平和WE为低电平） 。
该CY7C1021B / 10211B是标准的44引脚可用
TSOP II型和400密耳宽SOJ封装。客户
订购零件时，应使用部件号CY7C10211B
10纳秒吨
AA
和CY7C1021B订购12和15纳秒时
t
AA
.
实用
描述
[1]
该CY7C1021B / 10211B是一种高性能CMOS静态
RAM （16位）组织为65,536字。此设备具有
自动断电功能，可显著降低
功耗取消的时候。
逻辑框图
数据驱动因素
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
64K ×16
RAM阵列
512 X 2048
检测放大器
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
列解码器
BHE
WE
CE
OE
BLE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05145修订版**
•
3901北一街
•
圣荷西
,
CA 95134
•
408-943-2600
修订后的2004年6月20日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
