66
CY7C164
CY7C166
16K ×4静态RAM
特点
•
高速
- 15纳秒
•
输出使能（ OE ）功能（ CY7C166 ）
•
CMOS的最佳速度/功耗
•
低有功功率
= 633毫瓦
•
低待机功耗
= 110毫瓦
•
TTL兼容的输入和输出
•
取消时自动断电
三态驱动器。该CY7C166有一个低电平有效输出
启用（ OE ）功能。这两款器件都具有自动加电
断特性，降低了功率消耗了65％时
取消选择。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平（与
输出使能（ OE ）低的CY7C166 ） 。上的数据
四个输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
3
）被写入到
在地址引脚指定的存储单元（A
0
通过
A
13
).
阅读该设备通过采取芯片使能实现
（ CE ）低（与OE低的CY7C166 ），而写使能
（ WE）仍然很高。在这些条件下的内容
上的地址引脚指定的存储位置将出现
在四个数据I / O引脚。
在I / O引脚保持在高阻抗状态时，芯片使能
（ CE ）为高电平（或输出使能（ OE ）为高电平为CY7C166 ） 。
模头涂布用于确保阿尔法免疫力。
功能说明
该CY7C164和CY7C166是高性能CMOS
静态RAM， 4位组织为16,384 。容易记忆EX-
潘申由低电平有效的芯片提供使能（CE ）和
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
GND
1
2
3
4
5
6 7C164
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C164–3
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
NC
GND
SOJ
顶视图
1
2
3
4
5
6 7C164
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C164–2
输入缓冲器
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
行解码器
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
检测放大器
256 x 64 x 4
ARRAY
DIP / SOJ
顶视图
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
CE
OE
GND
1
24
2
23
3
22
4
21
5
20
6 7C166 19
7
18
17
8
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
3
I / O
2
I / O
1
I / O
0
WE
C166–1
COLUMN
解码器
A
0
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
动力
下
CE
WE
（ OE）的
（ 7C166 ONLY）
C164–4
]
选购指南
7C164-15
7C166-15
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大待机电流（mA ）
15
115
20
7C164-20
7C166-20
20
115
20
7C164-25
7C166-25
25
105
20
7C164-35
7C166-35
35
105
20
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05025牧师**
•
3901北一街
•
圣荷西
•
CA 95134 • 408-943-2600
修订后的2001年8月24日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
