CY7C187
64K ×1静态RAM
特点
•高速
- 15纳秒
• CMOS的最佳速度/功耗
•低有功功率
- 495毫瓦
•低待机功耗
= 110毫瓦
• TTL兼容的输入和输出
•自动断电时取消
•提供无铅和无无铅22引脚（ 300密耳）
模压成型SOJ DIP和24引脚（ 300密耳）
功能说明
该CY7C187是一个高性能的CMOS静态RAM
组织为65,536字× 1位。简单的内存扩展
由低电平芯片提供使能（ CE）和三态
驱动程序。该CY7C187具有自动断电功能，
降低功率消耗了56％时，取消选择。
写器件是造诣当芯片使能
（CE）和写使能（WE ）输入端都是低电平。上的数据
输入引脚（四
IN
）被写入到存储器位置指定上
地址引脚（A
0
至A
15
).
阅读该设备通过采用芯片使能实现
（ CE ）较低，而写使能（ WE）仍然很高。下
这些条件下，存储单元的内容
指定的地址引脚会出现在数据输出
(D
OUT
）引脚。
输出引脚保持在高阻抗状态芯片
使能（CE ）为高电平或写使能（WE ）是低电压。
该CY7C187利用模涂，以保证阿尔法免疫力。
逻辑框图
销刀豆网络gurations
DI
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
NC
A
6
A
7
D
OUT
WE
GND
SOJ
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
C187–3
DIP
顶视图
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
NC
A
11
A
10
A
9
A
8
D
IN
CE
A
12
A
13
A
14
A
15
A
0
A
1
A
2
A
3
行解码器
16K ×1
ARRAY
检测放大器
DO
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
D
OUT
WE
GND
CE
列解码器
动力
下
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
V
CC
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
D
IN
CE
WE
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
C187–1
C187–2
选购指南
最大访问时间（纳秒）
最大工作电流（mA ）
最大的CMOS待机电流（mA ）
-15
15
90
20
-25
25
70
20
-35
35
70
20
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05044修订版**
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订后的2006年7月24日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
