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CY7C1061AV33-10ZXI 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1061AV33-10ZXI图片预览
型号: CY7C1061AV33-10ZXI
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内容描述: 16兆位( 1米× 16 )静态RAM [16-Mbit (1 M × 16) Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 13 页 / 417 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1061AV33
16兆位( 1米× 16 )静态RAM
特点
功能说明
该CY7C1061AV33是一种高性能的CMOS静态RAM
16位组织为1,048,576字。
写入装置,使芯片( CE
1
LOW和CE
2
HIGH )
而强迫写使能( WE)输入低电平。如果字节低
使能( BLE )为低,然后从I / O引脚(数据I / O
0
通过I / O
7
),
被写入的地址管脚的指定位置(一
0
至A
19
) 。如果高字节使能( BHE )为低电平,然后从数据
I / O引脚( I / O
8
通过I / O
15
)被写入到所指定的位置
在地址引脚(A
0
至A
19
).
从设备读取,以便采取CE芯片
1
低,
CE
2
高而迫使输出使能( OE)和低的
写使能( WE) HIGH 。如果低字节使能( BLE )为低电平,则
从由地址引脚指定的存储器位置的数据将
出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能( BHE )为低电平,则
从内存中的数据将出现在I / O
8
到I / O
15
。看
用于读取和写入模式的完整描述。
的输入/输出管脚( I / O的
0
通过I / O
15
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
1
HIGH / CE
2
LOW )时,输出被禁用( OE HIGH )时, BHE
和BLE被禁用( BHE , BLE HIGH) ,或写操作
正在进行中( CE
1
低,CE
2
高,和WE为低电平) 。
高速
t
AA
= 10纳秒
低有功功率
990毫瓦(最大)
3.3 ± 0.3 V工作电压
2.0 V数据保留
取消的时候自动断电
TTL兼容的输入和输出
易内存扩展与CE
1
和CE
2
特点
可提供无铅和无无铅54引脚TSOP II封装
和非无铅60球细间距球栅阵列( FBGA )
逻辑框图
输入缓冲器
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
行解码器
检测放大器
1M ×16
ARRAY
I / O
0
-I / O
7
I / O
8
-I / O
15
COLUMN
解码器
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
BHE
WE
OE
BLE
CE
2
CE
1
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05256牧师* Ĵ
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2011年2月2日