1CY 7C29 2A
CY7C291A
CY7C292A/CY7C293A
2K ×8可重复编程的PROM
特点
•
窗的可重编程
•
CMOS的最佳速度/功耗
•
高速
—
20纳秒（商业）
—
25纳秒（军事）
•
低功耗
相同，但都打包在300密耳（ 7C291A ， 7C293A ）和
600密耳宽的塑料密封DIP封装（ 7C292A ） 。
该CY7C293A具有自动断电功能，
超过70％ deselect-时降低功耗
ED 。在300密耳的陶瓷封装可配备有一个
擦除窗口;当暴露于UV光将PROM是
擦除，然后可以重新编程。存储器单元泌尿道感染
丽泽成熟的EPROM浮栅技术和字节宽IN-
智能编程算法。
该CY7C291A ， CY7C292A和CY7C293A是插电式重
配售的双极型器件，并提供优势
低功耗，可重编程，性能优越，
规划产量。在EPROM单元只需要为12.5V
在超高压和低电流要求允许团伙
编程。在EPROM单元允许一个存储单元中
灰被测试的100％ ，因为每一个位置被写入，擦除
并密封之前多次行使。每个PROM
还测试了在AC性能保证客后
Tomer的编程产品满足DC和AC specifi-
阳离子限制。
读是由放置一个低电平信号来实现
CS
1
在CS和高电平信号
2
和CS
3
。内容
（ A的地址线寻址的存储器位置
0
−
A
10
）将成为可在输出线（O
0
−
O
7
).
—
660毫瓦（商用和军用）
•
低待机功耗
—
220毫瓦（商用和军用）
•
EPROM技术100 ％可编程
•
斯利姆的300万或标准的600万封装可供选择
•
5V
±10%
V
CC
，商业和军事
•
TTL兼容的I / O
•
直接替代双极PROM中
•
能承受>2001V静电放电
功能说明
该CY7C291A ， CY7C292A和CY7C293A是高性
曼斯2K字由8位CMOS PROM中。它们在功能上
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
O
3
A
8
A
9
A
10
COLUMN
地址
动力
下
7C293A
O
2
O
1
地址
解码器
O
4
ROW
地址
编程
梅布尔
ARRAY
多
多路复用器
O
6
O
7
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
7
A
6
O
5
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
24
2
23
3 7C291A 22
4 7C292A 21
7C293A
5
20
6
19
7
18
8
17
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
C291A-3
C291A-2
O
0
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
7C291A
23
7
22
8
21
9
7C293A
20
10
19
11
12 1314151617 18
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
NC
O
7
O
6
LCC / PLCC （不透明专用）
顶视图
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
CS
1
CS
2
CS
3
窗口可
7C291A和7C293A
只。
C291A-1
赛普拉斯半导体公司
•
3901北一街
•
圣荷西
•
CA 95134 •
408-943-2600
1986年3月 - 修订1993年5月
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
