CY7C419 / 21 /25 /三万三千二百五十六分之二十九/ 512 / 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
CY7C419/21/25/29/33
五百一十二分之二百五十六/ 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
特点
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功能说明
该CY7C419 , CY7C420 / 1 , CY7C424 / 5 , CY7C428 / 9 ,和
CY7C432 / 3是先入先出中提供(先进先出)存储器
600密耳宽,300密耳全包。有256个, 512 ,
1024 , 2048 ,和4096字分别通过9位宽。每
FIFO存储器被组织,以使数据被读出,在同一
按顺序,这是书面。满和空标志
以防止溢出和下溢。另外三个引脚
还提供了便于无限扩展的宽度,深度
或两者。深度扩展技术拨转控制
从并联一个设备到另一个信号。这消除了
串行加法传播延迟,从而使吞吐量不
减少。数据被控制以类似的方式。
在读操作和写操作可以是异步的;每罐
出现在50兆赫的速率。发生在写操作时,
写( W)的信号为LOW 。阅读时出现读取( R)变低。
这九个数据输出进入高阻抗状态,当R为
高。
半满( HF)输出标志,是独立有效的,
宽度扩展配置提供。在深度
扩展配置,该引脚提供了扩张
这是用来告诉下的FIFO ,它是(XO)信息
激活。
在独立和宽度扩展配置的低电平
重传( RT )输入,使FIFO的重传
数据。读使能(R)和写使能(W)的必须都为高电平
重发,然后在R用于访问数据。
该CY7C419 , CY7C420 , CY7C421 , CY7C424 , CY7C425 ,
CY7C428 , CY7C429 , CY7C432和CY7C433是捏造
采用先进的0.65微米的P阱CMOS技术。输入
ESD保护大于2000V和闩锁,防止
通过精心的布局和保护环。
异步先入先出(FIFO )缓冲存储器
256× 9 ( CY7C419 )
512× 9 ( CY7C421 )
1K ×9 ( CY7C425 )
2K ×9 ( CY7C429 )
4K ×9 ( CY7C433 )
双端口RAM单元
高速50 MHz的读取和写入的深度和独立
宽度
较低的工作功耗:我
CC
= 35毫安
空和满标志(半满标志单机)
TTL兼容
转发在独立
可扩展的宽度
PLCC ,为7x7 TQFP , SOJ , 300万和600万DIP
无铅适用的货物
引脚兼容和功能上等同于IDT7200 ,
IDT7201 , IDT7202 , IDT7203 , IDT7204 , AM7200 , AM7201 ,
AM7202 , AM7203 , AM7204和
逻辑框图
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-06001牧师* C
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订后的2008年12月9日