CY7C419 / 21 /25 /三万三千二百五十六分之二十九/ 512 / 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
CY7C419/21/25/29/33
五百一十二分之二百五十六/ 1K / 2K / 4K ×9异步FIFO
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
功能说明
该CY7C419 ， CY7C420 / 1 ， CY7C424 / 5 ， CY7C428 / 9 ，和
CY7C432 / 3是先入先出中提供（先进先出）存储器
600密耳宽，300密耳全包。有256个， 512 ，
1024 ， 2048 ，和4096字分别通过9位宽。每
FIFO存储器被组织，以使数据被读出，在同一
按顺序，这是书面。满和空标志
以防止溢出和下溢。另外三个引脚
还提供了便于无限扩展的宽度，深度
或两者。深度扩展技术拨转控制
从并联一个设备到另一个信号。这消除了
串行加法传播延迟，从而使吞吐量不
减少。数据被控制以类似的方式。
在读操作和写操作可以是异步的;每罐
出现在50兆赫的速率。发生在写操作时，
写（ W）的信号为LOW 。阅读时出现读取（ R）变低。
这九个数据输出进入高阻抗状态，当R为
高。
半满（ HF）输出标志，是独立有效的，
宽度扩展配置提供。在深度
扩展配置，该引脚提供了扩张
这是用来告诉下的FIFO ，它是（XO）信息
激活。
在独立和宽度扩展配置的低电平
重传（ RT ）输入，使FIFO的重传
数据。读使能（R）和写使能（W）的必须都为高电平
重发，然后在R用于访问数据。
该CY7C419 ， CY7C420 ， CY7C421 ， CY7C424 ， CY7C425 ，
CY7C428 ， CY7C429 ， CY7C432和CY7C433是捏造
采用先进的0.65微米的P阱CMOS技术。输入
ESD保护大于2000V和闩锁，防止
通过精心的布局和保护环。
异步先入先出（FIFO ）缓冲存储器
256× 9 （ CY7C419 ）
512× 9 （ CY7C421 ）
1K ×9 （ CY7C425 ）
2K ×9 （ CY7C429 ）
4K ×9 （ CY7C433 ）
双端口RAM单元
高速50 MHz的读取和写入的深度和独立
宽度
较低的工作功耗：我
CC
= 35毫安
空和满标志（半满标志单机）
TTL兼容
转发在独立
可扩展的宽度
PLCC ，为7x7 TQFP ， SOJ ， 300万和600万DIP
无铅适用的货物
引脚兼容和功能上等同于IDT7200 ，
IDT7201 ， IDT7202 ， IDT7203 ， IDT7204 ， AM7200 ， AM7201 ，
AM7202 ， AM7203 ， AM7204和
逻辑框图
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-06001牧师* C
•
198冠军苑
•
圣荷西
,
CA 95134-1709
•
408-943-2600
修订后的2008年12月9日
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
