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    SCT3030ALHR

     沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
    栅栅极调节器
    1 ROHM

    GRM188R11H331KA01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GJM1555C1H1R8JB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    1 MURATA

    PSMN102-200Y

     N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FETProduction
    开关脉冲晶体管
    0 NEXPERIA

    GJM0335C1E6R7BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    ICM-42605

     IMU (惯性测量设备)
    暂无信息
    0 TDK

    GRT033R61A333KE01#

     汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    SMF9V0TF

     SMF9V0TF是适合浪涌保护用途的小型模件封装的TVS二极管。是车载级的高可靠性产品。
    二极管电视
    0 ROHM

    GQM2195G2H5R2DB12#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    GRM0223C1E3R7WA03#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
    开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    0 INFINEON

    10-PY07HVA075RG-L985F88Y

     High efficiency in hard switching and resonant topologies;High speed switching;Low gate charge
    暂无信息
    0 VINCOTECH

    10-FY123BA080SH03-LN28L47

     Easy paralleling;High speed switching;Low switching losses
    暂无信息
    2 VINCOTECH

    GCM219R71C224JA37#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    MMBZ15VALYFH

     MMBZ15VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
    电子瞬态抑制二极管
    0 ROHM

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