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DTM4459 参数 Datasheet PDF下载

DTM4459图片预览
型号: DTM4459
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内容描述: P通道30 -V ( DS ) MOSFET TrenchFET功率MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 1551 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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P通道30 -V (D -S )的MOSFET
特点
产品概述
V
DS
(V)
- 30
R
DS ( ON)
()
0.005在V
GS
= - 10 V
0.00775在V
GS
= - 4.5 V
I
D
(A)
d
- 29
- 23
Q
g
(典型值)。
61 NC
www.din-tek.jp
DTM4459
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
和UIS测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
•适配器开关
•笔记本
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
D
P沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
符号
V
DS
V
GS
极限
- 30
± 20
- 29
- 23.5
- 19.7
A,B
- 15.6
A,B
- 70
- 6.5
- 2.9
A,B
- 30
45
7.8
5
3.5
A,B
2.2
A,B
- 55〜 150
单位
V
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
I
D
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
雪崩电流
单脉冲雪崩能量
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
A
mJ
最大功率耗散
P
D
W
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
A,C
最大结到脚
注意事项:
一。表面安装在1" X 1" FR4板。
B 。 T = 10秒。
Ç 。在稳态条件下最大为80 ° C / W 。
ð 。基于T
C
= 25 °C.
t
10
s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJF
典型
29
13
最大
35
16
单位
° C / W
1