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DTW2070 参数 Datasheet PDF下载

DTW2070图片预览
型号: DTW2070
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内容描述: 功率MOSFET的小尺寸通孔快速切换 [Power MOSFET Low-Profile Through-Hole Fast Switching]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 2357 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
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功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
()
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
70
13
39
单身
200
0.09
www.din-tek.jp
DTW2070
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
=表面贴装
•小尺寸通孔
•可用磁带和卷轴
•动态的dv / dt额定值
• 150 ° C工作温度
•快速开关
•全额定雪崩
•符合RoHS指令2002/95 / EC
特点
D
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
G
G
D
S
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B,E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C,E
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
当前
A,E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
200
± 20
20
13
72
1.0
580
20
13
3.1
130
5.0
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 2.7 mH的,R
g
= 25
,
I
AS
= 18 A(见图12 ) 。
C.我
SD
20
A, di / dt的
150 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
1