BAS31, BAS35
BAS31, BAS35
Surface Mount Small Signal Dual Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-10-11
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
0.4
±0.1
350 mW
120 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
±0.1
3
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
per diode / pro Diode
Power dissipation – Verlustleistung
)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
V
RRM
T
j
T
S
2.5
1.3
Type
Code
max
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
BAS31, BAS35
350 mW
)
200 mA
2
)
600 mA
2
)
1A
2A
120 V
-55...+150°C
-55...+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Forward voltage
)
Durchlass-Spannung
3
)
I
F
I
F
I
F
I
F
I
F
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
=
=
=
=
=
10 mA
50 mA
100 mA
200 mA
400 mA
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
Kennwerte (T
j
= 25°C)
< 750 mV
< 840 mV
< 900 mV
< 1.00 V
< 1.25 V
< 100 nA
< 100 µA
Leakage current
Sperrstrom
V
R
= 90 V
V
R
= 90 V
1
2
3
Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
