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BC547B 参数 Datasheet PDF下载

BC547B图片预览
型号: BC547B
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内容描述: 硅外延PlanarTransistors [Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用: 晶体小信号双极晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 90 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BC547B的Datasheet PDF文件第2页  
BC 546 ... BC 549
NPN
Si-Epitaxial PlanarTransistors
General Purpose Transistors
NPN
500 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard Pinning
1=C 2=B 3=E
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
BC 546
Collector-Emitter-voltage
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
B shorted
E open
C open
V
CE0
V
CES
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
- I
EM
T
j
T
S
65 V
85 V
80 V
6V
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BC 547
45 V
50 V
50 V
6V
500 mW
1
)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BC 548/549
30 V
30 V
30 V
5V
Characteristics, T
j
= 25
/
C
Group A
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
V
CE
= 5 V, I
C
= 10
:
A
V
CE
= 5 V, I
C
= 2 mA
V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
h-Parameters at V
CE
= 5V, I
C
= 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Stromverst.
Input impedance – Eingangsimpedanz
Output admittance – Ausgangsleitwert
Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
h
fe
h
ie
h
oe
h
re
typ. 220
1.6...4.5 k
S
18 < 30
:
S
typ.1.5 *10
-4
h
FE
h
FE
h
FE
typ. 90
110...220
typ. 120
Kennwerte, T
j
= 25
/
C
Group B
typ. 150
200...450
typ. 200
typ. 330
3.2...8.5 k
S
30 < 60
:
S
typ. 2 *10
-4
Group C
typ. 270
420...800
typ.400
typ. 600
6...15 k
S
60 < 110
:
S
typ. 3 *10
-4
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
6
01.11.2003