BCV27, BCV47
NPN
Darlington Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2004-01-20
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
Type
Code
1
2
2.5
max
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.9
Dimensions / Maße in mm
1 = B1 2 = E2 3 = C
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Base current – Basisstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
V
BE
= 0
E open
C open
V
CES
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
B
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BCV27
30 V
40 V
10 V
250 mW
1
)
500 mA
800 mA
100 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
BCV47
60 V
80 V
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Min.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
C
= 0, V
EB
= 10 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
BCV27
BCV47
I
CB0
I
CB0
I
EB0
V
CEsat
–
–
–
–
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
–
–
–
–
Max.
100 nA
100 nA
100 nA
1V
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg.
2
)
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
8
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
