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BCW32 参数 Datasheet PDF下载

BCW32图片预览
型号: BCW32
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内容描述: 表面贴装硅外延PlanarTransistors [Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 124 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号BCW32的Datasheet PDF文件第2页  
BCW 31, BCW 32, BCW 33
NPN
General Purpose Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
Type
Code
1
2
2.5
max
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.9
Dimensions / Maße in mm
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BCW 31, BCW 32, BCW 33
32 V
32 V
5V
250 mW
1
)
100 mA
200 mA
200 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Min.
Typ.
120 mV
210 mV
Max.
100 nA
10
:
A
100 nA
250 mV
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 32 V
I
E
= 0, V
CB
= 32 V, T
j
= 100
/
C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
I
C
= 10 mA, I
B
= 0.5 mA
I
C
= 50 mA, I
B
= 5 mA
I
EB0
V
CEsat
V
CEsat
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg.
2
)
I
CB0
I
CB0
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
36
01.11.2003
1