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PZT2222A 参数 Datasheet PDF下载

PZT2222A图片预览
型号: PZT2222A
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内容描述: Suface山硅外延平面晶体管开关 [Suface Mount Si-Epitaxial Planar Switching Transistors]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 105 K
品牌: DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
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PZT2222 / PZT2222A
PZT2222 / PZT2222A
NPN
Suface Mount Si-Epitaxial Planar Switching Transistors
Si-Epitaxie-Planar-Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
3.5
±0.2
NPN
1.3 W
SOT-223
0.04 g
Version 2006-05-09
6.5
±0.2
3
±0.1
4
1.65
Type
Code
1
0.7
2.3
2
3.25
3
Dimensions - Maße [mm]
1=B
2/4 = C
3=E
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-volt. - Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
E open
B open
C open
V
CEO
V
CBO
V
EBO
P
tot
I
C
T
j
T
S
7
±0.3
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
PZT2222
30 V
60 V
5V
1.3 W
)
600 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
PZT2222A
40 V
75 V
6V
Characteristics (T
j
= 25°C)
Min.
Collector-cutoff current – Kollektor-Reststrom
I
E
= 0, V
CB
= 50 V
I
E
= 0, V
CB
= 50 V, T
j
= 150°C
Emitter-cutoff current – Emitter-Reststrom
I
C
= 0, V
EB
= 3 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
)
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
PZT2222
PZT2222A
PZT2222
PZT2222A
V
CEsat
V
CEsat
V
CEsat
V
CEsat
I
EBO
PZT2222
PZT2222A
PZT2222
PZT2222A
I
CBO
I
CBO
I
CBO
I
CBO
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
–-
Max.
20 nA
10 nA
20 µA
10 µA
10 nA
0.4 V
0.3 V
1.6 V
1.0 V
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses t
p
= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1