[ DIODES ] DMG2301U Datasheet下载

厂商:

DIODES INCORPORATED

DIODES

DIODES INCORPORATED

描述:

P沟道增强型MOSFET

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMG2301LK-7 品牌:Diodes Incorporated

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
DMG2301LK-7 图片
制造商
Diodes Incorporated
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
160 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4nC @ 10V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
156pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
840mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装
1
其它名称
DMG2301LK-7DICT

[ TYSEMI ] DMG2301U Datasheet下载

厂商:

TY Semiconductor Co., Ltd

TYSEMI

TY Semiconductor Co., Ltd

描述:

P沟道增强型MOSFET的低导通电阻

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance

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[ DIODES ] DMG2301U-7 Datasheet下载

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DIODES INCORPORATED

DIODES

DIODES INCORPORATED

描述:

P沟道增强型MOSFET

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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TY Semiconductor Co., Ltd

TYSEMI

TY Semiconductor Co., Ltd

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P沟道增强型MOSFET的低导通电阻

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance

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[ DIODES ] DMG2302U Datasheet下载

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DIODES INCORPORATED

DIODES

DIODES INCORPORATED

描述:

N沟道增强型MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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[ TYSEMI ] DMG2302U Datasheet下载

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TY Semiconductor Co., Ltd

TYSEMI

TY Semiconductor Co., Ltd

描述:

N沟道增强型MOSFET的低导通电阻

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance

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[ DIODES ] DMG2302U-7 Datasheet下载

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DIODES INCORPORATED

DIODES

DIODES INCORPORATED

描述:

N沟道增强型MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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[ TYSEMI ] DMG2307L Datasheet下载

厂商:

TY Semiconductor Co., Ltd

TYSEMI

TY Semiconductor Co., Ltd

描述:

P沟道增强型MOSFET的低导通电阻

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance

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DMG2301LK-7 品牌:Diodes Incorporated

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
DMG2301LK-7 图片
制造商
Diodes Incorporated
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
Digi-Reel®
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
160 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4nC @ 10V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
156pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
840mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装
1
其它名称
DMG2301LK-7DIDKR

DMG2301LK-7 品牌:Diodes Incorporated

分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
图片:
DMG2301LK-7 图片
制造商
Diodes Incorporated
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
2.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
160 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4nC @ 10V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
156pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
840mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装
3,000
其它名称
DMG2301LK-7DITR
  • NO.
  • IC型号
  • 描述
  • 品牌
  • PDF缩略图
  • 1.
  • DMG2301U
  • P沟道增强型MOSFET
    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

  • DIODES
  • 总6页

  • 2.
  • DMG2301U
  • P沟道增强型MOSFET的低导通电阻
    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance

  • TYSEMI
  • 总2页

  • 3.
  • DMG2301U-7
  • P沟道增强型MOSFET
    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

  • DIODES
  • 总6页

  • 4.
  • DMG2301U-7
  • P沟道增强型MOSFET的低导通电阻
    P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance

  • TYSEMI
  • 总2页

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