He
epc701/epc703
推荐工作条件
分钟。
马克斯。
30
+85°
+95
单位
V
C
%
电源电压（V
DD
)
工作温度（T
O
)
湿度（无冷凝）
9.6
-40°
+5
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压V
DD
最大功率耗散
存储温度范围（T
S
)
-0.3〜 36.0 V（注2 ）
100mW
-40 ° C至+ 85°C
无铅焊料的温度，持续4秒。 （T
L
) +260°C
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。推荐工作条件indi-
美食条件设备所拟功能，但不保证特定的性能极限。有保证的specifica -
tions和测试条件，请参阅电气特性。
注2 ：
供应电压高达36伏特，可以存在仅10秒。
注3 ：
此设备是一个高度敏感的CMOS放大器， HBM JEDEC 1C类（ >1kV ） ESD额定值。处理这个和装配
设备只应在ESD保护的工作站来完成。
电气特性
V
DD
= 9.6V < V
DD
< 30V ， -40°C <牛逼
A
＆ LT ; + 85°C
符号
参数
条件/评论
分钟。
V
DD
ΔV
DD
I
DD
V
OUT
V
SAT
I
SENS
V
SENS
I
PEAK
V
状态
电源电压
纹波电源电压
电源电流
输出电压
输出饱和电压
SENS电流
电流电压桑斯
@参考V 50mA输出电流
DD
当前触发阈值
过电流触发阈值电压（通过使用外部
电源开关） ，参考V
DD
50
-0.18
峰 - 峰
空载
0
-1
60
-0.2
300
9.6
值
典型值。
马克斯。
30
10
400
30
-2
70
-0.25
-0.6
2
-0.3
-8
1.5
2.0
-0.3
0.25
100
150
200
100
1.0
0.7
40.0
50.0
1.2
1.0
60.0
μs
5/10/20/50/100/200/500/1,000
400
500
600
ms
kΩ
mW
μs
μs
-10
1.7
5.5
0.8
-12
1.9
5.5
0.8
V
单位
V
%V
DD
μA
V
V
mA
V
A
短路峰值电流在短路初始电流（ <1ms ， 50Ω系列resist-
OR）
状态输出（引用
到GND）
逻辑高
逻辑低电平
水槽驱动能力
V
mA
Hz
f
状态
V
IN
状态输出频率
输入（参考GND ）
epc703只，占空比50 ％
逻辑高
逻辑低电平
迟滞
下拉电阻
P
DIS
t
ON
t
关闭
t
DEL
功耗
响应时间
响应时间
关闭延迟时间
片上功率耗散
On
关闭
过电流检测器和状态输入/输出之间的时间
变化（默认值） ，请参见编程
可编程的关断延迟值
t
minOFF
恢复时间
OUT引脚的最小的停机时间，以保护外部
晶体管（默认值） ，请参见编程
可编程值
10/20/50/100/200/500/1,000/
1,500
1,000
200
30
μs
nF
f
rt
t
启动
C
L_max
短路恢复
延迟时间的因素
启动时间
外部负载Capacit-
ANCE
t
minOFF
/t
延迟
= f
rt
（无外部驱动晶体管使用时，
请参见“过电流复位过程” ）
VDD上升> 100 V / ms的
负载电容，可以通过OUT无trig的驱动 -
杰灵过电流@ 2kOhm负载和5μs的延迟时间
2
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特性如有变更，恕不另行通知
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