PBD 1分之3517
INH - 禁止
外部元件的目的
对于图14和15，需要注意的是“比...更大的”通常的“小型的，反之亦然
不是... “。
组件用途
D1, D2
通过低功率
电机及防止
高功率
通过低短路
电源
感应电流
抑癌
价值
I F = 1A
1N4001 ， UF4001
比价值比价值更小大
加价
减少最大
电流能力
对INH输入一个高电平，关闭所有
相输出端，以降低电流
消费。
RESET
内部上电复位电路
连接到V
cc
复位相逻辑
并抑制上电时的输出，
为防止虚假步进。
D3 … D6
I F = 1A
反向恢复时间trr = 100ns的
例如
BYV27
UF4001
RGPP10G
RGPP30D
2
加价
目前跌幅
关断功能
加快开启
关闭时间。
减慢开启
关闭时间。电压
在阳极威力
EXCEED电压
击穿
减慢Q1的
开启和Q4的
关断时间。
减慢Q1的
关断和Q4的
开启时间。
降低分机。
晶体管IC最大。
降低3517
功耗。
输出级
输出级由四个开
集电极晶体管。第二高
电源电压中含有达林顿
晶体管。
R1
基极驱动电流
限幅器
R = 20ohm
P = R1
(
(
VMM
R1 + R2
VMM
)
)
速度高达Q1的
开启和Q4的
关断时间。
速度高达Q1的
关断和Q4的
开启时间。
增加分机。
晶体管IC最大。
增加3517
功耗。
相输出
所述相输出被直接连接
到电动机如图14所示。
R2, R3
基地放电电阻R = 240ohm
2
P = R1
R1 + R2
R4 … R7
外部晶体管的基
V
- 通过CE认证
毫米V - V
R=
司机
V
be
I4 -
R12
2
P > （ I 4 ） • R4
检查HFE 。
二层技术
所述双层脉冲发生器由
2单稳态与一个共同的RC
网络。
内相逻辑电路产生一个
触发脉冲，每次阶段
变化的状态。脉冲触发自己的
单稳态，从而导通的输出
晶体管的时间精确时间：
t
On
= 0.55 • C
T
• R
T
.
见脉冲图，图16通过
20.
( )
R8, R9
OA，OB的上拉
电阻器
R = 5欧姆@拉
电压= 5V 。
P=
2
(V
CC)
R
噪音增大
灵敏度，更糟糕
逻辑电平
德网络nition
噪音增大
免疫力，更好的
逻辑电平
定义。
更小的压力对OA，胁迫对OA，OB
OB输出
产量
晶体管
晶体管。
提高电机
电流。
R10, R11
V
限制最大。汽车
CESAT减小电机
MM- VMotor -V
电流。
电流。电阻器可R =
I
电机最大
被省略。 （检查
电机特定网络阳离子
第一个）。
VBE
15W
减慢
外部晶体管
关断时间。
降低3517
功耗
相双极逻辑输出
加快
外部晶体管
关断时间。
增加3517
功耗
R12 ... R15外部晶体管的基极
R=
ª
放电。
I12
P >的Vbe • I12
RT ， CT
设置L和LB时间R = 47kohm ，C = 10nF的
A
当被触发
P < 250mW的
步骤。
存储翻倍
电压。
C = 100μ ˚F
V
≥
45V
C
增加了时间。下降时间。
C1, C2
增加有效跌幅
导通时间期间
生效时间
倍压
在电压
加倍。
提高价格，
更好的滤波，
降低风险
IC击穿
降低价格，
更紧凑
的解决方案。
C3 … C5
供应─过滤
C
≥
10
µF
电压纹波和take-
最多的能量回馈
从D3 D6 ...
在“
A
和ƒ
B
生成的输出
从相位逻辑和通知的
外部设备如果A阶段或B
相电流在内部抑制。
这些输出的目的，如果它支持
是合法的，正确地从一个半步骤去
模式到全步进模式而不丢失
位置信息。
该PBD一分之三千五百十七可以充当控制器
IC 2驱动器IC ，该PBL 3770A主管。利用
P
A1
和P
B1
相位控制和O
A
和
Ø
B
对于我
0
我
1
控制电流关断。
应用信息
风险电容器
击穿。
下降最大林
在电压
加倍。
V
，V或V
额定>V
CC加价
SS毫米
Q1, Q2
激活晶体管
电压倍增。
IC马达需要。
提高价格。
逻辑输入
如果有任何的逻辑输入开路时，
电路将其当作一个高层次的投入。
未使用的输入应连接到
适当的电压电平，以获得所述
高抗噪性。
相输出
7
Q3, Q4
电压充电
电容倍增
我C™
（ VMM - Vf的-VCE ） • C1
(
1
- 0.55 • RT • CT
FSTEP
)
Q5 … Q8
电机电流驱动
晶体管。
IC马达需要。
PNP功率转。
增加最大
减少最大
电流的能力。电流的能力。
ERICSSON [ ERICSSON ]
