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    PTF10031 参数 Datasheet PDF下载

    PTF10031图片预览
    型号： PTF10031
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 50瓦， 1.0 GHz的GOLDMOS场效应晶体管 [50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 218 K
    品牌： ERICSSON [ ERICSSON ]
     浏览型号PTF10031的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PTF10031的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PTF10031的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PTF10031的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PTF10031的Datasheet PDF文件第6页  
    PTF 10031
    电气特性
    （ 100％测试）
    特征
    漏源击穿电压
    漏极 - 源极漏电流
    栅极阈值电压
    正向跨导
    e
    条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 25毫安
    V
    DS
    = 28 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 75毫安
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 3 A
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    民
    65
    —
    3.0
    —
    典型值
    —
    —
    —
    2.8
    最大
    —
    1.0
    5.0
    —
    单位
    伏
    mA
    伏
    SIEMENS
    RF连接特定的阳离子
    （ 100％测试）
    特征
    共源功率增益
    (V
    DD
    = 28 V ，P
    OUT
    = 50瓦，我
    DQ
    = 350 mA时， F = 960兆赫）
    输出功率在1 dB压缩
    (V
    DD
    = 28 V，I
    DQ
    = 350 mA时， F = 960兆赫）
    漏EF网络效率
    (V
    DD
    = 28 V ，P
    OUT
    = 50瓦，我
    DQ
    = 350 mA时， F = 960兆赫）
    负载不匹配公差
    (V
    DD
    = 28 V ，P
    OUT
    = 50瓦，我
    DQ
    = 350 mA时， F = 960 MHz-
    所有相位角在测试的频率）
    符号
    G
    ps
    P-1dB
    h
    Y
    民
    12.0
    50
    50
    —
    典型值
    13.0
    55
    55
    —
    最大
    —
    —
    —
    10:1
    单位
    dB
    瓦
    %
    —
    典型性能
    增益与输出功率
    16
    15
    -25
    互调失真与输出功率
    -15
    V
    DD
    = 28 V
    I
    DQ
    = 350毫安
    f
    1
    = 950.000兆赫
    IMD （ dB）的
    f
    2
    = 950.100兆赫
    -35
    5th
    -45
    7th
    -55
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    70
    3阶
    增益（dB ）
    14
    13
    12
    11
    10
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    70
    V
    DD
    = 28 V
    I
    DQ
    = 350毫安
    F = 960 MHz的
    输出功率（瓦）
    输出功率（瓦特PEP ）
    2

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