PTF10036 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PTF10036
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内容描述：	85瓦， 860-960兆赫GOLDMOS场效应晶体管 [85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	6 页 / 223 K
品牌：	ERICSSON [ ERICSSON ]

PTF 10036

电气特性

特征

条件

符号

（ BR ） DSS

DSS

GS （ TH）

（ 100 ％测试，特性，每边所示的条件和限制）

民

—

3.0

—

典型值

—

2.8

最大

—

1.0

5.0

—

单位

伏

SIEMENS

漏源击穿电压V

= 0 V，I

= 5毫安

漏极 - 源极漏电流

栅极阈值电压

正向跨导

= 28 V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 75毫安

= 10 V，I

= 3 A

最大额定值

参数

漏源电压

(1)

栅源电压

(1)

工作结温

在器件总功耗

高于25 °C减免了

存储温度范围

热阻（T

例

= 70°C)

(1)

符号

DSS

英镑

QJC

价值

±20

200

250

1.43

-40到+150

0.7

单位

VDC

°C

瓦

W / ℃，

°C

° C / W

每面

典型性能

宽带测试夹具性能

效率（％）

增益（dB ）

-30

宽带测试夹具性能

效率

效率（％）

增益（dB ）

925

收益

= 28 V

= 800 mA的总

OUT

= 85 W

回波损耗（分贝）

收益

= 28 V

= 800 mA的总

‘

OUT

= 85 W

回波损耗（分贝）

935

945

955

-30

-15

-25

-35

-10

-15

-20

860 865 870 875 880 885 890 895 900

频率（MHz）

回波损耗

频率（MHz）

回波损耗

效率

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