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    PTF10052 参数 Datasheet PDF下载

    PTF10052图片预览
    型号： PTF10052
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 35瓦， 1.0 GHz的GOLDMOS场效应晶体管 [35 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体射频场效应晶体管放大器
    文件页数/大小： 6 页 / 501 K
    品牌： ERICSSON [ ERICSSON ]
     浏览型号PTF10052的Datasheet PDF文件第1页浏览型号PTF10052的Datasheet PDF文件第3页浏览型号PTF10052的Datasheet PDF文件第4页浏览型号PTF10052的Datasheet PDF文件第5页浏览型号PTF10052的Datasheet PDF文件第6页  
    PTF 10052
    电气特性
    特征
    （ 100％测试）
    e
    条件
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    g
    fs
    民
    65
    —
    3.0
    —
    典型值
    70
    —
    —
    2.8
    最大
    —
    1.0
    5.0
    —
    单位
    伏
    mA
    伏
    SIEMENS
    漏源击穿电压V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 5毫安
    漏极 - 源极漏电流
    栅极阈值电压
    正向跨导
    V
    DS
    = 28 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 75毫安
    V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 3 A
    最大额定值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    工作结温
    器件总功耗
    高于25 °C减免了
    存储温度范围
    热阻（T
    例
    = 70°C)
    T
    英镑
    R
    QJC
    符号
    V
    DSS
    V
    GS
    T
    J
    P
    D
    价值
    60
    ±20
    200
    120
    0.7
    -40到+150
    1.4
    单位
    VDC
    VDC
    °C
    瓦
    W / ℃，
    °C
    ° C / W
    典型性能
    P
    OUT
    ，增益&效率
    （在P- 1分贝）
    与频率的关系
    输出功率&效率
    30
    25
    20
    效率（％）
    70
    60
    50
    增益（dB ）
    宽带测试夹具性能
    20
    效率（％）
    16
    50
    收益
    12
    增益（dB ）
    收益
    V
    DD
    = 28 V
    I
    DQ
    = 300毫安
    P
    OUT
    = 35 W
    40
    -30
    5
    20
    -15
    15
    10
    5
    V
    DD
    = 28 V
    I
    DQ
    = 300毫安
    500
    600
    700
    输出电网（W ） 30
    20
    1000
    8
    0
    400
    800
    900
    4
    925
    930
    935
    940
    回波损耗（分贝） 10
    -25
    0
    945 950 955 960
    -35
    频率（MHz）
    频率（MHz）
    2
    回波损耗
    40
    效率
    60

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