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PTF10053 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PTF10053
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内容描述: 12瓦, 2.0 GHz的GOLDMOS场效应晶体管 [12 Watts, 2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 83 K
品牌: ERICSSON [ ERICSSON ]
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PTF 10053
电气特性
( 100%测试)
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
正向跨导
e
条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 50毫安
V
DS
= 26 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 75毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 2 A
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
V
GS ( TH)
g
fs
65
3.0
典型值
0.8
最大
1.0
5.0
单位
mA
SIEMENS
最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
工作结温
器件总功耗
高于25 °C减免了
存储温度范围
热阻(T
= 70°C)
T
英镑
R
QJC
符号
V
DSS
V
GS
T
J
P
D
价值
65
±20
200
58
0.33
-40到+150
3.0
单位
VDC
VDC
°C
W / ℃,
°C
° C / W
典型性能
P
OUT
,增益&效率
(在P- 1分贝)
与频率的关系
14
宽带测试夹具性能
60
增益(dB )
50
40
效率(%)
增益(dB)和输出功率(W )
16
15
14
13
12
11
10
输出功率( W)
55
50
12
效率(%)
X
40
增益(dB )
效率(%)
45
10
8
6
4
2
1925
V
DD
= 26 V
I
DQ
= 155毫安
增益(dB )
35
30
25
20
2050
I
DQ
= 155毫安
噘嘴= 10瓦
回波损耗
20
-10
-20
10
-30
0
2000
9
1750
1800
1850
1900
1950
2000
1950
1975
频率(MHz)
频率(MHz)
2
回波损耗(分贝)
X
V
DD
= 26 V
30
0
效率(%)